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東莞市源林電子科技有限公司
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    殘壓比KR  

    通過壓敏電阻器的電流為某一值時,在它兩端所產生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標稱電壓之比。

    殘壓比KR的定義公式為:

    KR =UR/UN

    殘壓比可以比較直觀地反應出壓敏電阻限制過電壓的能力,在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應用,在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標準電性能參數。

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    峰值能量Em

    峰值能量Em是指壓敏電阻能夠耗散的規定波形的浪涌電流或脈沖電流的能量。峰值能量是產品能夠承受規定次數的

    2ms方波或10/1000us脈沖電流峰值,這是用戶選擇防護操作電壓用ZnO壓敏電阻器時的重要參考值。

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    老化機理:

    曾經被認為是老化的起因的有電子陷阱,偶極子轉向,氧脫附和離子遷移,目前能證實的只有填隙鋅離子遷移。一般認為老化是晶界現象,是由于耗盡層內離子遷移,而Zni是主要的遷移離子。

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